基本信息
| 标准名称： | 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 |
| 英文名称： | Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities |
| 中标分类： |
冶金 >>
半金属与半导体材料 >>
半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： |
电气工程 >>
半导体材料
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| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 2009-10-30 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 起草人： | 李静、何秀坤、蔺娴 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 16页 |
| 计划单号： | 20070858-T-469 |
适用范围
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各种电活性杂质元素。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T13389 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂物浓度换算规程
GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法
所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
【英文标准名称】:IPCablecomInterdomainQualityofService
【原文标准名称】:IPCablecom域间服务质量
【标准号】:ANSI/SCTE24-15-2002
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(ANSI)
【起草单位】:ANSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Datacommunication;Quality;Services
【摘要】:
【中国标准分类号】:M11
【国际标准分类号】:33_060_40
【页数】:
【正文语种】:英语